发明名称 | 太阳能电池及其制造方法 | ||
摘要 | 一种太阳能电池包括:一层形成于P型硅衬底(1)的上表面上的第一n型层(2a),一层形成于衬底(1)背面并具有高于衬底(1)杂质浓度的P型层(7),一层至少形成在衬底(1)侧面的第二n型层(2b,2c,2d)以将第一n型层(2a)与P型层(7)连接起来。第二n型层(2b,2c,2d)在与P型层(7)接壤的区域的杂质浓度低于第一n型层(2a)。 | ||
申请公布号 | CN1120245A | 申请公布日期 | 1996.04.10 |
申请号 | CN95104877.5 | 申请日期 | 1995.04.28 |
申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 浅井正人 |
分类号 | H01L31/04;H01L31/18 | 主分类号 | H01L31/04 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 张政权 |
主权项 | 1.一种太阳能电池,其特征在于包括:P型半导体衬底(1),具有一个第一主表面,一个第二主表面及它们之间的侧面;形成于所述第一主表面上的一层第一n型层(2a);形成于所述第二主表面上、杂质浓度高于所述衬底(1)的一层P型层(7);至少形成于所述侧面上的一层第二n型层(2b,2c,2d),该层将所述第一n型层(2a)和所述P型层(7)联接起来,第二n型层(2b,2c,2d)至少在与所述的P型层(7)接壤的区域附近的杂质浓度低于所述的第一n型层(2a)。 | ||
地址 | 日本大阪府 |