| 主权项 |
1﹒一光电代打半导体装置包括:藉矽烷中辉光放电在所制成之无定形矽之一活性区,具有载体寿命大于约10^─7秒,能隙内局部化状态之平均密度约为10^17/cm或较小,其电子及电洞之移动率大约10^─3cm2/V─sec,一在该活性区之一表面上之电传导性基底,一在该活性区之一表面上之一金属区与该基底相对而在该金属区与该活性区之介面上提供一表面能障接面,该金属区能在该活性区内产生一空间电荷塌。2﹒根据上述请求专利部份第1项之半导体装置,其中该活性区自该金属区至该基底之厚度为一至三微米左右。3﹒根据上述请求专利部份第1项之半导体装置,其中该活性区包括一属于一种传导性型态之一第一掺杂层,与一属于相反传导性型态之第二掺杂层相间隔开,其间并有一与第一及第二掺杂层相接触之本质层,如此在本质层内便能产生一空间电荷塌。4﹒根据上述请求专利部份第3项之半导体装置,其中该本质层自该第一掺杂层至该第二掺杂层之厚度系为一至三微米左右。5﹒根据上述请求专利部份第4项之半导体装置另包括:一在与该本质层相对在第二掺杂层之一表面上之电传导性基底;及一在与该本质层相对在该第一掺杂层之一表面上而有良好电传导性之阳光辐射传送电极。6﹒根据上述请求专利部份第1项之半导体装置,其中该活性区包括一属于一种传导性型态之第一掺杂层与具有相反传导性型态之第二掺杂层相接触,二层之间具有一P一N接面。7﹒根据上述请求专利部份第6项之半导体装置包括:一在该第二掺杂层之与该P─N接面相对之一表面上之第三掺杂层,该第三掺杂层与该第二掺杂层之传导性型态相同且一样具有较高之掺杂密度;一在与该P一N接面相对之该第一掺杂层之一表面上之阳光辐射传送电极,此电极具有良好电传导性;以及一在与该P一N接面相对之该第二掺杂层之一表面上之电传导性基底。 |
