LDD Metalloxyd-Halbleiter-Feldeffekttransistor und Verfahren zur Herstellung.,申请号DE19916011203T-传众专利搜索

发明名称	LDD Metalloxyd-Halbleiter-Feldeffekttransistor und Verfahren zur Herstellung.
摘要
申请公布号	DE69111203(T2)	申请公布日期	1996.04.04
申请号	DE19916011203T	申请日期	1991.12.02
申请人	NEC CORP., TOKIO/TOKYO, JP	发明人	OKABE, KAZUHIRO, C/O NEC CORPORATION, TOKYO 108-01, JP;SAKAI, ISAMI, C/O NEC CORPORATION, TOKYO 108-01, JP
分类号	H01L21/336;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/772	主分类号	H01L21/336
代理机构		代理人
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