Process for forming a low ohmic contact between a metallic layer and a semiconductor material

摘要

Es wird ein Verfahren zur Erzeugung eines niederohmigen Kontaktes zwischen einer Metallisierungsschicht (19) und einem Halbleitermaterial (3) vorgeschlagen, bei dem in vorgegebener Folge über der Oberfläche des Halbleitermaterials Isolierschichten (11, 13, 14) vorgegebener Dotierung und eine dazwischen liegende Halbleiterschicht (12) aufgebracht und strukturiert werden sowie Dotierstoffe unterschiedlicher Leitfähigkeit (p, n) in das Halbleitermaterial unter Verwendung der strukturierten Schichten als Maske implantiert werden. Es ergibt sich eine kleine Kontaktfläche bei vorgegebenem Strom und ein kleiner Einschaltwiderstand. <IMAGE>