| 发明名称 | ITO烧结体、ITO透明导电膜及此膜的形成方法 | ||
| 摘要 | 其SiO<SUB>2</SUB>及Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>组成相当于图1 SiO<SUB>2</SUB>～Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>二成分系图中点A、B、C、D及E所围成领域的烧结体，以及含有同一组成添加剂的ITO透明导电膜。上述透明导电膜，在以上述烧结体作对靶材，在惰性气体或惰性气体与O<SUB>2</SUB>和/或H<SUB>2</SUB>所组成的混合气体中进行喷射时，有利于形成。上述烧结体的相对密度高达90％以上，由此形成的透明导电膜在维持高光透过率的同时，还拥有低于2×10<SUP>-4</SUP>Ωcm的低电阻率。 | ||
| 申请公布号 | CN1119851A | 申请公布日期 | 1996.04.03 |
| 申请号 | CN94191599.9 | 申请日期 | 1994.12.26 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 白川彰彦;伊泽广纯;野田孝男 |
| 分类号 | C04B35/00 | 主分类号 | C04B35/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 段承恩 |
| 主权项 | 1.ITO烧结体，其中含有SiO2及Bi2O3的组成相当于图1所示点A、B、C、D及E所围成领域，在图1的SiO2-Bi2O3二成分系图中点A、B、C、D及E具有如下组成。点 SiO2 (wt％) Bi2 O3 (wt％) A 0.001 9.0B 9.0 9.0C 12.0 6.0D 12.0 0.001E 0.001 0.001 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||