| 发明名称 | 半导体器件及半导体激光器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及抑制Zn从掺Zn的P型III-V族化合物半导体层向与其邻接的有源层中扩散的半导体器件及半导体激光器。为抑制Zn从与有源层相邻接的掺Zn的覆盖层向有源层扩散而在掺Zn覆盖层再添加Fe或过渡金属元素。 | ||
| 申请公布号 | CN1119795A | 申请公布日期 | 1996.04.03 |
| 申请号 | CN95102037.4 | 申请日期 | 1995.02.20 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 藤井就亮;木村达也 |
| 分类号 | H01S3/18 | 主分类号 | H01S3/18 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，该器件具有与有源层邻接的p型III—V族化合物半导体层，其特征在于：在上述p型III—V族化合物半导体层中添加了Zn和Fe。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||