| 发明名称 |
METHOD AND DEVICE FOR IN-DEPTH ANALYSIS OF ELEMENT DIFFUSED IN SEMICONDUCTOR WAFER |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
JPH0886725(A) |
申请公布日期 |
1996.04.02 |
| 申请号 |
JP19940221368 |
申请日期 |
1994.09.16 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
KOJIMA TOSHIO;MATSUBARA ATSUKO |
| 分类号 |
G01N21/73;G01N1/32;H01L21/265;H01L21/66;(IPC1-7):G01N1/32 |
主分类号 |
G01N21/73 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
