| 发明名称 |
INSULATED GATE TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH0888358(A) |
申请公布日期 |
1996.04.02 |
| 申请号 |
JP19940222772 |
申请日期 |
1994.09.19 |
| 申请人 |
TOSHIBA CORP |
发明人 |
NINOMIYA HIDEAKI;YAMAGUCHI SHOICHI |
| 分类号 |
H01L29/43;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/74;H01L29/749;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/43 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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