发明名称 藉由形成焊料球以制造焊料隆块之方法
摘要 一种用以在一半导体晶片上制造焊料隆块之方法,一具有一平坦表面以及以一预定图案配置在该平场表面上之多数凹洞的焊料球形成构件系被制备出来,接着该等凹洞被充满一焊膏,并且该焊料球形成构件被加热到一高于该焊料之熔点的温度,使得在该焊膏中之该融熔焊料粉末由于表面张力而形成焊料球。该半导体晶片接着被移向该焊料球形成构件而将该被加热的焊料球由该焊料球形成构件转移到该半导体晶片上。
申请公布号 TW273638 申请公布日期 1996.04.01
申请号 TW084105223 申请日期 1995.05.24
申请人 富士通股份有限公司 发明人 陆郎;大竹幸喜;山口一郎;水户部一彦;河西纯一;植田秀文;落合正行
分类号 H01L23/488 主分类号 H01L23/488
代理机构 代理人 康伟言 台北巿南京东路三段二四八号七楼;恽轶群 台北巿松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1. 一种用以制造多数焊料隆块之方法,该方法包括下列步骤:制备一具有一平坦表面与以一预定图案配置在该平坦表面上之多数凹洞的焊料球形成构件;以一具有焊料粉末与一助熔剂的焊膏填补该等凹洞;将该焊料球形成构成加热到使包含在各凹洞中该焊膏中的焊料粉末熔化并且由于表面张力而形成多数焊料球;以及将多数焊料隆块欲形成于其上的一第一构件相对移向该焊料球形成构件以便将被加热之焊料球由该焊料球形成构件转移到该第一构件上。2. 如申请专利范围第1项所述之用以制造焊料隆块的方法,其中该第一构件包括一半导体晶片、一半导体组件、一印刷电线板、以及一TAB构件其中之一,并且其中具有该表面之该焊料球形成构成的至少一部份是由一具有一对该焊料之焊接性比该等焊料隆块欲形成其上的该第一构件之一部份之焊接性来得低的材料所构成。3. 如申请专利范围第1项所述之用以制造焊料隆块的方法,其中该等焊料隆块欲形成其上的该第一构件包括一IC晶片。4. 如申请专利范围第1项所述之用以制造焊料隆块的方法,其中该等焊料隆块欲形成其上的该第一构件包括一TAB带之的多数导线。5. 如申请专利范围第1项所述之用以制造焊料隆块的方法,其中以一焊膏填补该焊料球形成构件之凹洞之步骤包括将一焊膏涂布于该焊料球形成构件之平坦表面上以及使一橡皮刮板沿着该焊料球形成构件之平坦表面移动。6. 如申请专利范围第1项所述之用以制造焊料隆块的方法,其中该焊料球形成构件之该等凹洞具有之形状可以使在该焊料球形成步骤中形成在各凹洞之焊料球部份地凸出超过该焊料球形成构件之平坦表面,并且其中该焊料球转移步骤包括使该第一构件相对地移向该焊料球形成构件之平坦表面。7. 如申请专利范围第6项所述之用以制造焊料隆块的方法,还包括在该焊料球形成步骤之后以及该焊料球转移步骤之前冷却该等焊料球形成构件的步骤,并且该焊料球形成步骤包括加热该焊料球形成构件与该第一构件的至少其中之一。8. 如申请专利范围第6项所述之用以制造焊料隆块的方法,其中该焊料球形成构件之凹洞在该平坦表面具有一周缘,一底部,以及一由该平坦表面到该底部之深度,该周缘之尺寸大于欲形成之焊料球的尺寸。9. 如申请专利范围第8项所述之用以制造焊料隆块的方法,其中该凹洞之深度小于欲形成之该焊料球的直径。10. 如申请专利范围第6项所述之用以制造焊料隆块的方法,其中该凹洞在该平坦表面上的周缘大致是圆形的。11. 如申请专利范围第6项所述之用以制造焊料隆块的方法,其中该凹洞在该平坦表面上的周缘大致是多角形的。12. 如申请专利范围第8项所述之用以制造焊料隆块的方法,其中该凹洞具有一在预定位置之最深点。13.如申请专利范围第12项所述之用以制造焊料隆块的方法,其中该凹洞之周缘随着该深度增加而变小。14.如申请专利范围第12项所述之用以制造焊料隆块的方法,其中该凹洞之周缘随着该深度增加而阶段式地变小。15. 如申请专利范围第1项所述之用以制造焊料隆块的方法,其中该焊料球形成构件包括一单一板。16. 如申请专利范围第1项所述之用以制造焊料隆块的方法,其中该焊料球形成构件具有多数层叠板,至少一该等层叠板具有多数穿孔,各穿孔形成该凹洞之一部份。17. 如申请专利范围第1项所述之用以制造焊料隆块的方法,其中该焊料球形成构件之凹洞在该平坦表面具有一周缘,一底部,以及一连接该平坦表面与该底部之环形侧壁部份,该焊料球形成构件具有第一与第二可分离层叠板,该第一板具有一提供该焊料球形成构件之平坦表面的平坦表面以及提供该环形侧壁部份的多数穿孔,该第二板形成该焊料球形成构件之该等凹洞的底部;以及其中该焊料球之转移步骤包括将该第二板与该第一板分开并且该等焊料球仍附着在该第一板中的步骤,以及使该第一构件相对地移向相对于该平坦表面之该第一板之第二表面的步骤。18. 如申请专利范围第17项所述之用以制造焊料隆块的方法,其中该焊料球转移步骤还包括将附着在该第一板之该等焊料球推向该第一构件。19. 一种用以制造多数焊料球之方法,该方法包括下列步骤:制备一具有平坦表面与以一预定图案配置在该平坦表面上之多数凹洞的焊料球形成构件;以一具有焊料粉末与助熔剂的焊膏填补该等凹洞;将该焊料球形成构件加热到使包含在各凹洞中该焊膏中的焊料粉末熔化并且由于表面张力而形成多数焊料球;冷却该焊料球形成构件;以及将该等焊料球由该焊料球形成构件之该等凹洞中取出。20. 如申请专利范围第19项所述之用以制造焊料球的方法,其中以一焊膏填补该焊料球形成构件之凹洞之步骤包括将一焊膏涂布于该焊料球形成构件之平坦表面上以及使一橡皮刮板沿着该焊料球形成构件之平坦表面移动。21. 一种用以制造一半导体装置之方法,该方法包括下列步骤:制备一具有平坦表面与以一预定图案配置在该平坦表面上之多数凹洞的焊料球形成构件;以一具有焊料粉末与一助熔剂的焊膏填补该等凹洞;将该焊料球形成构件加热到使包含在各凹洞中该焊膏中的焊料粉末熔化并且由于表面张力而形成多数焊料球;以及将多数焊料隆块欲形成于其上的一第一构件相对移向该焊料球形成构件以便将被加热之焊料球由该焊料球形成构件转移到该第一构件上,其中该第一构件包括一半导体晶片、一半导体组件、一印刷电线板、以及一TAB构件其中之一。22. 如申请专利范围第21项所述之用以制造一半导体装置的方法,其中该半导体组件包括PGA、BGA、MCM与QFP其中之一。图示简单说明:第1A到1E图是显示一用以制造本发明之第一实施例之焊料隆块的视图;第2A到2F图是显示一用以制造本发明之第二实施例之焊料隆块的视图;第3图是该焊料球形成构件之另一例的横截面图;第4图是该焊料球形成构件之平面图;第5图是该焊料球形成构件之又一例的横截面图;第6图是该焊料球形成构件之再一例的横截面图;第7图是使用焊料隆块之一PGA半导体组件的横截面图;第8图是使用焊料隆块之一BGA半导体组件的横截面图;第9图是使用焊料隆块之一MCM半导体组件的横面图;第10图是使用焊料隆块之一QFP半导体组件的横面图;第11图是一印刷电线板之横截面图,一具有多数焊料隆块之第一构件系安装于该印刷电线板上;第12图是具有焊料隆块之一TAB构件的横截面图;第13图是第12图之TAB构件与一安装于其上之半导体晶片的横截面图;第14图是具有电极垫之第一构件以及具有浅凹洞之焊料球形成构件的横截面图,其中焊料球系形成在该等凹洞中之末端位置;第15图是该焊料球形成构件另一例的横截面图;第16图是沿着第15图之线XVI-XVI所取,第15图之焊料球形成构件的横截面图;第17图是该焊料球形成构件之再一例的横截面图;第18图是沿着第17图之线XIIIV-XIIIV所取,第17图之该焊料球形成构件的横截面图;第19图是该焊料球形成构件之又一例的横截面图;第20图是沿着第19图之线XX-XX所取,第19图之该焊料球形成构件的横截面图;第21图是该焊料球形成构件之另一例的横截面图;第22图是沿第21图之线XXII-XXII所取,第21图之该焊料球形成构件的横截面图;第23A到23E图是显示一用以制造本发明之第三实施例之焊料隆块的视图;第24A到24E图是显示一用以制造本发明之第四实施例之焊料球的视图;第25A到25D图是显示一用以制造本发明之第五实施例之焊料球的视图;第26图是一用以配置该等焊料球之一球配置工具的部份切
地址 日本