发明名称 CIRCUITOS INTEGRADOS CON DIELECTRICO PLANIFICADO.
摘要 UN CIRCUITO INTEGRADO ESTA HECHO MEDIANTE UNA TECNICA QUE PROPORCIONA, UNA FUENTE, DE SOBRE PUERTA ELECTRONICA DIELECTRICA PLANAR, Y PARTES DE DRENAJE, SIN SOBRE-GRABADO DE LA PARTE DE CONTACTO DE LA PUERTA. EN EL PROCESO, LAS VENTANAS DE CONTACTO (303, 304, 302) ESTAN GRABADAS EN EL DIELECTRICO CONFORMADO (201) ANTES DEL PASO PLANARIZADOR, DE TAL MANERA QUE EL GROSOR DEL GRABADO ES EL MISMO PARA LA PUERTA, QUE PARA LAS VENTANAS DE NACIMIENTO/DRENAJE. ENTONCES, UN POLIMERO SACRIFICADOR PLANARIZANTE, (P.EJ. UN FOTORESISTENTE) (401) ES DEPOSITADO PARA CUBRIR EL DIELECTRICO CONFORMADO Y LLENAR LAS VENTANAS GRABADAS. FINALMENTE SE HACE UNA GRABACION PLANARIZADORA, Y ES REMOVIDO EL POLIMERO DE LAS VENTANAS DE CONTACTO. UN DIELECTRICO PLANARIZADO SE CONSIGUE SIN UNA EXCESIVA GRABACION EN LAS VENTANAS DE PUERTAS ELECTRONICAS (302).
申请公布号 ES2082838(T3) 申请公布日期 1996.04.01
申请号 ES19900312934T 申请日期 1990.11.28
申请人 AT&T CORP. 发明人 HILLS, GRAHAM WILLIAM;HUTTEMANN, ROBERT DONALD;OLASUPO, KOLAWOLE R.
分类号 H01L29/78;H01L21/28;H01L21/311;H01L21/336;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/768;H01L21/60 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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