CONTROLLABLE SEMICONDUCTOR COMPONENT

摘要

Gegenstand der Erfindung ist ein anodenseitig ansteuerbares Halbleiterbauelement, dessen Halbleiterkörper eine Vielzahl nebeneinander angeordneter, parallel geschalteter Einheitszellen mit Thyristorstruktur aufweist, und bei dem an eine schwach dotierte n-Basiszone (3) nach beiden Seiten höher dotierte p-Zonen als p-Basiszone (2) und p-Emitterzone (4) angrenzen und auf die p-Basiszone (2) eine hoch dotierte n-Emitterzone (1) folgt, die mit einer Kathodenelektrode (7) kontaktiert ist, und, dass in die p-Emitterzone (4) ein erster n-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor (M1) integriert ist, der durch eine floatende Elektrode (FE) in Serie mit der Thyristorstruktur geschaltet ist, dass die Drain-Elektrode (5b) des ersten MOSFET (M1) mit einer äusseren Anodenelektrode (8) versehen ist, die keinen Kontakt mit der p-Emitterzone (4) hat, und dass zwischen der n-Basiszone (3) und der Drain-Zone (5b) des ersten MOS-Feldeffekttransistors (M1) ein zweiter n-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor (M2) integriert ist.