| 发明名称 | 蓝-绿激光二极管 | ||
| 摘要 | 用于II-VI族半导体的P型欧姆接触，包括：P型II-VI族半导体器件层；在器件层的第一侧的P型II-VI族晶体半导体接触层；在接触层上，由费米能级表征的导电电极层；以及接触层掺具有浅受主能量的浅受主，达到净受主浓度为1×10<SUP>17</SUP>cm<SUP>-3</SUP>，并且在浅受主能级和电极层费米能级之间包括一些足够的深能态，以能够发生电荷载流子串级隧穿。 | ||
| 申请公布号 | CN1119358A | 申请公布日期 | 1996.03.27 |
| 申请号 | CN95102031.5 | 申请日期 | 1992.05.15 |
| 申请人 | 明尼苏达州采矿制造公司 | 发明人 | 迈克尔·A·海斯;郑骅;詹姆斯·M·迪鲁特;邱钧 |
| 分类号 | H01S3/19;H01L33/00 | 主分类号 | H01S3/19 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杨国旭 |
| 主权项 | 1.用于II—VI族半导体的P型欧姆接触，包括：P型II—VI族半导体器件层；在器件层的第一侧的P型II—VI族晶体半导体接触层；在接触层上，由费米能级表征的导电电极层；以及接触层掺具有浅受主能量的浅受主，达到净受主浓度为1×1017cm-3，并且在浅受主能级和电极层费米能级之间包括一些足够的深能态，以能够发生电荷载流子串级隧穿。 | ||
| 地址 | 美国明尼苏达州 | ||