晶体管及制造该晶体管的方法

摘要

一种用特有的方法制造的晶体管，该方法包含在形成栅极之前形成源极/漏极区，然后形成与源极/漏极接触但与栅极绝缘的源极/漏极接区，该晶体管包含MOSFET结构，在该结构中，在半导体基片上的两个相同的导体彼此相隔一预定距离，在各导体下方以与它电连接的方式形成源极/漏极扩散区，在两者之间的半导体基片上形成栅极氧化膜，栅极延伸到两分开的导体之上方，但与之绝缘。它确保了足够的掩模定位容差，并有广泛的应用，不仅应用于晶体管，还可应用于DRAM和SRAM。

主权项

1.一种晶体管，包含MOSFET结构，其特征在于，在半导体基片上的两个相同的导体彼此相距一预定距离，在各导体下方以与导体电连接的方式形成源极/漏极扩散区，在两者之间的半导体基片上形成一栅极氧化膜，栅极延伸到两个独立的导体上方但与它们相绝缘。