| 摘要 |
본 발명은 이중 게이트 전계효과트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 소오스와 드레인 사이에 존재하는 두개의 게이트 사이의 거리를 자유롭게 조절할 수 있도록 한 것이다. 본 발명은 기판상에 버퍼층, 활성층, 오막콘택층을 차례로 성장시키는 단계와, 소자간 간격을 위해 상기 적층구조를 메사에칭하는 단계, 상기 메사에칭된 적층구조의 양측에 소오스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계, 기판 전면에 포토레지스트를 도포하는 단계, 상기 포토레지스트를 사진공정에 의해 선택적으로 노광 및 현상하여 소오스 및 드레인영역 사이의 소정영역을 선택적으로 노출시키는 포토레지스트패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트패턴이 형성된 기판 전면에 절연막을 증착하는 단계, 상기 절연막상에 이중 게이트가 형성될 영역을 제외한 영역에만 선택적으로 금속마스크를 형성하는 단계, 상기 금속마스크를 이용하여 상기 절연막을 선택적으로 제거하여 이중 게이트영역을 정의하는 단계, 상기 금속마스크를 이용하여 상기 이중 게이트영역의 노출된 오막콘택층과 활성층을 리세스에칭하는 단계, 결과물 전면에 케이트전극 형성을 위한 도전물질을 증착하는 단계, 상기 포토레지스트패턴 및 절연막을 리프트오프하고 이중 게이트전극을 형성하는 단계, 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계, 상기 보호막을 선택적으로 제거하여 상기 소오스 및 드레인전극과 게이트패드룰 노출시키는 단계, 상기 소오스 및 드레인전극과 게이트패드와 접촉하는 전극용 패드를 형성하는 단계로 이루어진 전계효과트랜지스터의 제조방법을 제공함으로써 이중 게이트의 형성을 용이하게 할 수 있도록 한다. |
