Integrierte Schaltung mit einer planarisierten dielektrischen Schicht,申请号DE1990625300-传众专利搜索

发明名称	Integrierte Schaltung mit einer planarisierten dielektrischen Schicht
摘要
申请公布号	DE69025300(D1)	申请公布日期	1996.03.21
申请号	DE1990625300	申请日期	1990.11.28
申请人	AT & T CORP., NEW YORK, N.Y., US	发明人	HILLS, GRAHAM WILLIAM, SANTA CLARA, CALIFORNIA 95030, US;HUTTEMANN, ROBERT DONALD, MACUNGIE, PENNSYLVANIA 18062, US;OLASUPO, KOLAWOLE R., KUTZTOWN, PENNSYLVANIA 19530, US
分类号	H01L29/78;H01L21/28;H01L21/311;H01L21/336;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/768;H01L21/60	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
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