| 发明名称 |
Integrated circuit fabrication, including low temperature method for making silicide structures |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
EP0366343(B1) |
申请公布日期 |
1996.03.20 |
| 申请号 |
EP19890310697 |
申请日期 |
1989.10.18 |
| 申请人 |
AT&T CORP. |
发明人 |
CHEN, MIN-LIANG;LEUNG, CHUNG WAI;MARTIN, EDWARD P., JR. |
| 分类号 |
H01L21/316;H01L21/768;H01L23/522;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336;H01L21/310 |
主分类号 |
H01L21/316 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
