发明名称 |
半导体器件、其生产方法及其在液晶显示器的应用 |
摘要 |
一种液晶显示器件包括:一包括液晶层的显示部分;一对夹持该液晶层的基片;许多位于这对基片之一上的以阵列方式分布的象素电极;许多分别连接到所述那些象素电极的第一薄膜晶体管,及被定位用于驱动所述显示部分的位于第一薄膜晶体管所在的基片上并有第二薄膜晶体管的外部驱动电路;各第一、二薄膜晶体管分别包括由第一、二晶体硅层构成的第一、二沟道层,包括促进结晶用的催化元素的第二晶体硅层比第一晶体硅层的迁移率更高。 |
申请公布号 |
CN1118521A |
申请公布日期 |
1996.03.13 |
申请号 |
CN95108329.5 |
申请日期 |
1995.06.15 |
申请人 |
夏普公司;株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
香西孝真;牧田直树;高山彻 |
分类号 |
H01L27/085;H01L21/8232;G09G3/18;G09G3/36 |
主分类号 |
H01L27/085 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
萧掬昌;张志醒 |
主权项 |
1.一种包括一个第一薄膜晶体管和一个第二薄膜晶体管的半导体器件,所述第一薄膜晶体管具有一个由第一晶体硅层构成的第一沟道层,而所述第二薄膜晶体管具有一个由第二晶体硅层构成的第二沟道层,其特征是:上述第一晶体硅层和第二晶体硅层位于一单个基片上,以及上述第二晶体硅层包括一种用于促进结晶的催化元素,并具有比上述第一晶体管层的迁移率更高的迁移率。 |
地址 |
日本大阪市 |