| 发明名称 |
Process for etching the backside of a semiconductor wafer coated with silicum dioxide with gaseous hydrogen fluoride |
| 摘要 |
Die Ätzung der Scheibenrückseite erfolgt bei belackungsfreier Scheibenvorderseite durch das flächig über die Scheibenrückseite strömende Fluorwasserstoffgas, während gleichzeitig die Scheibenvorderseite durch ein flächig darübersströmendes Inertgas, beispielsweise Stickstoff, geschützt wird. <IMAGE>
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| 申请公布号 |
EP0701276(A2) |
申请公布日期 |
1996.03.13 |
| 申请号 |
EP19950114063 |
申请日期 |
1995.09.07 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
GSCHWANDTNER, ALEXANDER, DR.PHIL. DIPL.PHYS. |
| 分类号 |
C23F1/12;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/311;(IPC1-7):H01L21/311 |
主分类号 |
C23F1/12 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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