半导体器件制造用炉及用其形成栅氧化层的方法

摘要

公开了一种制造半导体器件用的炉子和用这种炉子形成栅氧化层的方法。这种炉子和方法能减少半导体器件热量聚集的现象，而且提高氧化层的质量。具体措施是：光分解保持高温的源炉子中的N₂O气以消除所产生的H₂气因N₂O和NH₃在氧化过程中分解温度不同而增加所引起的使质量变差的因素，令N₂O和NH₃在保持低温的主炉子中起反应从而氧化圆片经选择的部分。

主权项

1.制造半导体器件用的一种炉子，其特征在于，它包括：一个主炉子，供进行氧化处理，配备有一个出气口和第一进气口，炉中可安置装有圆片的舟形槽；和一个源炉子，通过连接管线与所述主炉子相连接，给所述主炉子提供经高温分解的气体，源炉子配备有第二进气口。