发明名称 Arbeitsfläche geringer Verunreinigung zur Herstellung von Silicium der Halbleitergeräte.
摘要
申请公布号 DE69203356(T2) 申请公布日期 1996.03.07
申请号 DE19926003356T 申请日期 1992.01.22
申请人 HEMLOCK SEMICONDUCTOR CORP., HEMLOCK, MICH., US 发明人 DUMLER, RICHARD CARL, BRECKENRIDGE, MICHIGAN, US;STAVELY, MATTHEW JAMES, SAGINAW, MICHIGAN, US
分类号 H01L21/673;B07B1/12;B07B1/46;B28D5/00;H01L21/304;(IPC1-7):B07B1/12 主分类号 H01L21/673
代理机构 代理人
主权项
地址