发明名称 Verfahren zur selektiven Herstellung von III-V Halbleiterschichten.
摘要
申请公布号 DE3854407(T2) 申请公布日期 1996.03.07
申请号 DE19883854407T 申请日期 1988.03.28
申请人 CANON K.K., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 TOKUNAGA, HIROYUKI, KAWASAKI-SHI KANAGAWA-KEN, JP;YONEHARA, TAKAO, ATSUGI-SHI KANAGAWA-KEN, JP
分类号 C30B25/18;C30B29/40;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/84;(IPC1-7):H01L21/203;C30B25/04;C23C16/04 主分类号 C30B25/18
代理机构 代理人
主权项
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