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发明名称 Halbleiter-Bearbeitungsverfahren zum Ausbilden einer elektrischen Verbindung zwischen einer äußeren Schicht und einer inneren Schicht, und integrierter Schaltkreis
摘要
申请公布号 DE19531773(A1) 申请公布日期 1996.03.07
申请号 DE1995131773 申请日期 1995.08.29
申请人 MICRON TECHNOLOGY, INC., IDAHO, US 发明人 TANG, SANH, BOISE, ID., US
分类号 H01L23/522;H01L21/28;H01L21/768;H01L21/822;H01L23/485;H01L27/04;H01L29/417;(IPC1-7):H01L21/28 主分类号 H01L23/522
代理机构 代理人
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