| 发明名称 | 制作半导体器件中金属薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件金属薄膜制作方法，包括下述步骤；在衬底上共溅射淀积贵重金属材料和金属而制成混合金属粘结膜，所述金属与所述衬底具有优良的粘结性能；在上述混合金属粘结膜上再溅射淀积所述贵金属材料而制成金属薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1118110A | 申请公布日期 | 1996.03.06 |
| 申请号 | CN95107079.7 | 申请日期 | 1995.06.22 |
| 申请人 | LG电子株式会社 | 发明人 | 申雨;权哲汉;洪炯基;李圭晶;朴炫洙;尹童;金成泰 |
| 分类号 | H01L21/283;H01L21/441 | 主分类号 | H01L21/283 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 马莹 |
| 主权项 | 1、一种制作半导体器件金属薄膜的方法，包括步骤：在衬底上共溅射贵重金属材料和金属，而制成混合金属粘结膜，上述金属对上述衬底具有优良的粘结性能；在上述混合粘结膜之上再溅射淀积上述贵重金属材料而制成金属薄膜。 | ||
| 地址 | 韩国汉城 | ||