| 主权项 |
1. 一种II-VI族化合物半导体制造方法,系属于以II族元素有机金属以及VI族元素氢化物作为原料的II-VI族化合物半导体薄膜的气相成长方法,其特征为:反覆地将II族元素有机金属以及卤化物气体及/或卤素气体交互地导入到成长室内以令薄膜成长。2. 一种II-VI族化合物半导体之制造方法,系属于使用II族元素有机金属以及VI族元素氢化物来使II-VI族化合物半导体薄膜气相成长的方法,其特征为:在于成长气体中添加入卤化物气体及/或卤素气体。3. 如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中系以不含卤素的氢化物以及不含卤素的有机金属作为成长用原料。4. 如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中该成长方法系为区域选择性成长。5. 如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中系将卤化物气体及/或卤素气体的流量保持在于选择模式。6. 如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中系使用含Zn的原料来进行含Zn的II-VI族化合物的成长。图示简单说明:第1图系说明本发明的实施例所用的条纹图案的说明图。第2图系本发明的实施例所用的供应气体流程图之说明图。第3图系本发明的比较例所用的供应气体流程图之说明图。第4图系第1实施例所用的异构造之说明图。第5图系第3实施例的样品(A)的表面状态所示的金属结晶的光学显微镜照片。第6图系第3实施例的样品(B)的表面状态所示的金属结晶的光学显微镜照片。 |
