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<P>Ce procédé permet de former une électrode de grille dans un composant à semiconducteur. Pour cela, on forme une couche d'oxyde à effet tunnel (2) sur un substrat de silicium, on dépose du polysilicium sur cette couche d'oxyde à effet tunnel et on dope ce polysilicium avec une impureté ionique pour former une grille flottante (3), on former séquentiellement une couche d'oxyde inférieure (4), une couche de nitrure (5) et une couche d'oxyde supérieure (6) sur la grille flottante pour former une couche diélectrique composite, on dépose un premier conducteur sur cette couche diélectrique composite afin de former une première grille de commande (7) et un second conducteur sur celle-ci pour former une seconde grille de commande (8) et on forme séquentiellement des motifs dans ces couches superposées à l'aide d'un masque pour former une électrode de grille.</P>
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