| 发明名称 |
METHOD OF OBTAINING GAASP EPITAXIAL LAYERS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
PL168519(B1) |
申请公布日期 |
1996.02.29 |
| 申请号 |
PL19920294909 |
申请日期 |
1992.06.15 |
| 申请人 |
INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIALOW ELEKTRONICZNYCH |
发明人 |
CZUB MIROSLAW;STRUPINSKI WLODZIMIERZ |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L31/0256;H01L31/18;H01L33/00;H05B33/10;(IPC1-7):H01L33/00 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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