MOSFET DI POTENZA CON PROTEZIONE DA SOVRACORRENTE E DA TEMPERATURA ELEVATA E CIRCUITO DI CONTROLLO DISACCOPPIATO DAL DIODO DELLA

摘要

Un transistore NPN viene aggiunto al microcircuito di un circuito integrato di potenza che contiene un MOSFET di potenza ed un circuito di controllo in un microcircuito comune. Il transistore NPN è accoppiato fra il dispersore P contenente i componenti del circuito integrato e il substrato di tipo N del microcircuito e viene inserito in risposta alla polarizzazione in conduzione del diodo della struttura di base del MOSFET di potenza. Un transistore MOSFET di controllo di modo normalmente conduttore viene accoppiato, tramite un circuito di collegamento rapido per guasto, alla porta (gate) del MOSFET di potenza ed è collegato in serie con un capacitore. Il nodo fra la gate del MOSFET di potenza e il capacitore viene disaccoppiato dal substrato di tipo N quando il transistore bipolare viene attivato per disinserire il MOSFET di potenza.(Figura 4).