发明名称 | 磁变电阻效应型磁头及其制造方法 | ||
摘要 | 磁变电阻效应型磁头具有用磁场改变电阻的磁变电阻效应膜14、使电流流到前述磁变电阻膜的一对电极17和为把横偏磁磁场加于前述磁变电阻效应膜的软磁性膜16,其特征是前述软磁性膜16含有铁、钴和镍之中至少一种材料和氧化锆、氧化铝、氧化铪、氧化钛、氧化铍、氧化镁、稀土类氧化物、氮化锆、氮化铪、氮化铝、氮化钛、氮化铍、氮化镁、氮化硅和稀土类氮化物中的至少一种化合物。由于添加化合物,使软磁性膜的电阻上升,由磁变电阻效应膜分流到软磁性膜的电流减少,从而提高了磁变电阻效应型磁头的重放电压。 | ||
申请公布号 | CN1117180A | 申请公布日期 | 1996.02.21 |
申请号 | CN95104052.9 | 申请日期 | 1995.03.08 |
申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 田所茂;渡边克朗;今川尊雄;田岛康成 |
分类号 | G11B5/31 | 主分类号 | G11B5/31 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴大建 |
主权项 | 1.一种磁变电阻效应型磁头具有用磁场改变电阻的磁变电阻效应膜,使电流流到前述磁变电阻效应膜的一对电极和为把横偏磁磁场加于前述磁变电阻效应膜的软磁性膜,其特征在于前述软磁性膜是由含铁、钴和镍中的至少一种元素的金属中分散有氧化锆、氧化铝、氧化铪、氧化钛、氧化铍、氧化镁、稀土类氧化物、氮化锆、氮化铪、氮化铝、氮化钛、氮化铍、氮化镁、氮化硅及稀土类氮化物中的至少一种化合物粒子的材料形成的。 | ||
地址 | 日本东京都 |