减小表面粗糙度的半导体晶片的粗抛方法

摘要

本发明提供一种粗抛方法，以降低细抛之前晶片的表面粗糙度，包括：将抛光液施加于抛光材料；在晶片相对于抛光材料运动时，使抛光材料和抛光液与晶片表面接触，以降低晶片的低频表面粗糙度；将第二种抛光液施加于抛光材料；在晶片相对于抛光材料运动时，使抛光材料和第二种抛光液与晶片表面接触，以进一步降低低频表面粗糙度，其中在粗抛之后，以光干涉仪按1mm×1mm作扫描所测得的晶片平均表面粗糙度不大于1.0nm Ra。

主权项

1.一种在细抛半导体晶片之前粗抛晶片以降低晶片表面粗糙 度的方法，该方法包括下列各步骤： a)向抛光材料上加抛光溶液； b)随着晶片相对于抛光材料运动，使抛光材料和抛光溶液与 晶片表面接触，以降低晶片的低频表面粗糙度； c)向抛光材料上加第二种抛光溶液； d)随着晶片相对于抛光材料运动，使抛光材料和第二种抛光 溶液与晶片表面接触，以进一步降低晶片的低频表面粗糙度，在 粗抛之后，用光学干涉仪按1mm×1mm作扫描测量，其中晶片的 平均表面粗糙度不大于1.0nmRa。