SPUTTER EPITAXY OF COMPONENT-QUALITY SILICON-GERMANIUM HETEROSTRUCTURES

摘要

Der Sputter-Epitaxie-Prozess gestattet die Herstellung von epitaktischen Heterostrukturen aus Si, Ge und Si1-xGex-Legierungen. Die Halbleiter-Eigenschaften von in situ aus der Gasphase oder aus festen Targets dotierten Si/Ge Heterostrukturen sind vergleichbar mit solchen, die durch MBE oder UHV-CVD synthetisiert werden können. Insbesondere sind hohe Ladungsträger-Beweglichkeiten in modulationsdotierten verspannten Si- oder Ge-Quantentöpfen erzielbar als Grundlage für Quanten-Halleffekt-Strukturen und MODFETs. Das Sputter-Epitaxie Verfahren lässt sich für alle möglichen elektronischen und optoelektronischen Bauelemente aus Si/Ge Heterostrukturen verwenden.