| 发明名称 |
PREPARATION OF BIPOLAR TRANSISTOR TO PROTECTING INTEGRATED CIRCUIT FROM STATIC DISCHARGE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH0845957(A) |
申请公布日期 |
1996.02.16 |
| 申请号 |
JP19950033020 |
申请日期 |
1995.01.30 |
| 申请人 |
SGS THOMSON MICROELECTRON SA |
发明人 |
FURANSOWA TERIE |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/331;H01L21/822;H01L27/02;H01L27/04;H01L29/732;(IPC1-7):H01L21/331 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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