制造半导体器件的方法

摘要

一种制造半导体器件的方法，通过在没有位线的区域形成其高度与位线同高的存贮电极，能缓和单元区和外围电路区之间的台阶，以及不使用额外的存贮电极掩模，当使用存贮电极接触孔掩模通过腐蚀工艺形成存贮电极接触孔时，使在位线上的腐蚀阻挡层作为自对准腐蚀阻挡层，能建立圆筒形存贮电极。除能确保工艺简单和改善可靠性外，还能确保后序的光刻工艺的聚焦深度有足够的容差。

主权项

1.一种在半导体基片上制作包括一个MOSFET和一个 电容器的半导体器件的方法，包括以下各步骤： 在半导体基片上建立一由栅氧化膜、栅电极、第一绝缘 膜图形及源电极和漏电极构成的MOSFET结构； 在所得结构的整个表面上依次形成第二绝缘膜、第一腐 蚀阻挡层及第三绝缘膜，所说的第一腐蚀层的选择腐蚀比不 同于所说的第三绝缘膜； 使用位线接触掩模依次腐蚀自所说的第三绝缘膜至第 二绝缘膜，形成位线接触孔，通过该孔露出漏电极； 在所说的位线接触孔的侧壁形成第一绝缘衬垫； 在所得结构的整个表面上依次淀积位线导电层、第四绝 缘膜层及第二腐蚀阻挡层； 使用位线掩模依次腐蚀自所说的第二腐蚀阻挡层至所 说的位线导电层，分别形成位线、第四绝缘膜及第二腐蚀阻 挡图形； 用第五绝缘膜填入已被腐蚀的没有所说的位线的部位； 使用存贮电极接触掩模依次腐蚀自所说的第五绝缘膜 至所说的第二绝缘膜，形成存贮电极接触孔，通过该孔露出 所说的源电极； 在所说的存贮电极接触孔的侧壁形成第二绝缘衬垫； 沿着在所说的存贮电极接触孔内所裸露的表面设置导 电层图形，所说的导电层图形起着存贮电极之作用；以及 在所说的存贮电极上依次形成介质膜及平板电极。