Verfahren zur Herstellung eines MIS Transistors,申请号DE19893900147-传众专利搜索

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发明名称	Verfahren zur Herstellung eines MIS Transistors
摘要
申请公布号	DE3900147(C2)	申请公布日期	1996.02.08
申请号	DE19893900147	申请日期	1989.01.04
申请人	SEIKO EPSON CORP., TOKIO/TOKYO, JP	发明人	ITO, MITSUAKI, SUWA, NAGANO, JP
分类号	H01L21/336;(IPC1-7):H01L29/78;H01L21/265;H01L21/66	主分类号	H01L21/336
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