MOS-Schaltkreis mit einem Gate-optimierten lateralen bipolaren Transistor.,申请号DE19906020316T-传众专利搜索

发明名称	MOS-Schaltkreis mit einem Gate-optimierten lateralen bipolaren Transistor.
摘要
申请公布号	DE69020316(T2)	申请公布日期	1996.02.08
申请号	DE19906020316T	申请日期	1990.10.20
申请人	INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP., ARMONK, N.Y., US	发明人	DHONG, SANG HOO, MAHOPAC, NEW YORK 10541, US;CHEN, CHIH-LIANG, BRIARCLIFF MANOR, NEW YORK 10510, US;SHIN, HYUN JONG, MAHOPAC, NEW YORK 10541, US
分类号	H01L29/73;H01L21/331;H01L21/8249;H01L27/06;H01L27/07;H03K17/04;H03K17/567;H03K19/08;(IPC1-7):H03K17/56;H03K19/094	主分类号	H01L29/73
代理机构		代理人
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