Process for etching silicon anisotropically,申请号EP19890117581-传众专利搜索

发明名称	Process for etching silicon anisotropically
摘要
申请公布号	EP0418423(B1)	申请公布日期	1996.02.07
申请号	EP19890117581	申请日期	1989.09.22
申请人	SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT	发明人	DIETRICH, RALF;HOERMANN, EWALD;KUHLMAN, WERNER;SCHMIDT-SODINGEN, GISELA;STEINHAUSER, KARL-AUGUST, DR.;WESTHAUSER, ELMAR
分类号	G02B6/36;H01L21/306;H01L21/308;(IPC1-7):H01L21/306;G02B6/32	主分类号	G02B6/36
代理机构		代理人
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