| 发明名称 |
HEAT TREATMENT FURNACE FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH0831761(A) |
申请公布日期 |
1996.02.02 |
| 申请号 |
JP19940256758 |
申请日期 |
1994.10.21 |
| 申请人 |
TOSHIBA CORP |
发明人 |
KUBOTA ATSUKO;SAMATA SHUICHI;AMAI TSUTOMU |
| 分类号 |
H01L21/22;H01L21/324;(IPC1-7):H01L21/22 |
主分类号 |
H01L21/22 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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