发明名称 Verfahren zur Herstellung mindestens eines vertikalen MOS-Feldeffekttransistors mit selbstjustiertem Gate
摘要
申请公布号 DE4409006(C2) 申请公布日期 1996.02.01
申请号 DE19944409006 申请日期 1994.03.16
申请人 SIEMENS AG, 80333 MUENCHEN, DE 发明人 EISELE, IGNAZ, PROF. DR., 82057 ICKING, DE;GOSNER, HARALD, DIPL.-PHYS., 81735 MUENCHEN, DE;RISCH, LOTHAR, DR., 85579 NEUBIBERG, DE
分类号 H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336;H01L21/203 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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