Verfahren zur Herstellung von CMOS- und Hochspannungs-elektronische-bauelemente beinhaltende Halbleiterbauelemente.,申请号DE19873751313T-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung von CMOS- und Hochspannungs-elektronische-bauelemente beinhaltende Halbleiterbauelemente.
摘要
申请公布号	DE3751313(T2)	申请公布日期	1996.02.01
申请号	DE19873751313T	申请日期	1987.03.24
申请人	SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L., AGRATE BRIANZA, MAILAND/MILANO, IT	发明人	ANDREINI, ANTONIO, I-20148 MILAN, IT;CONTIERO, CLAUDIO, I-20090 BUCCINASCO, IT;GALBIATI, PAOLA, I-20052 MONZA, IT
分类号	H01L21/033;H01L21/76;H01L21/8234;H01L21/8236;H01L21/8238;H01L27/06;H01L27/088;H01L27/092;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/76;H01L21/82	主分类号	H01L21/033
代理机构		代理人
主权项
地址