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发明名称 Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitern und Verfahren zur Kontrolle der thermischen Behandlung von Wafers.
摘要
申请公布号 DE69110029(T2) 申请公布日期 1996.02.01
申请号 DE19916010029T 申请日期 1991.10.30
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 HASHIZUME, YASUSHI, 1,MIZUHARA 4-CHOME, ITAMI-SHI, HYOGO-KEN, JP;TOMIKAWA, MITSUHIRO, 1,MIZUHARA 4-CHOME, ITAMI-SHI, HYOGO-KEN, JP
分类号 H01L21/22;H01L21/00;(IPC1-7):H01L21/00;F27D15/02 主分类号 H01L21/22
代理机构 代理人
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