发明名称 | 多层配线结构的半导体装置 | ||
摘要 | 一种适合于高速信号传输的多层配线构造的半导体装置,含有信号配线和电源/地线导体的几何学形状。在具有多根平行条状导体图形的电源/地线层11-1,11-2间形成信号配线层S1,S2。各层间隔有绝缘层20。信号配线层S1的各配线13-1平行于电源层11-1导体图形12-1配置,信号配线层S2的各配线13-2平行于地线层11-2的导体图形12-2配置。 | ||
申请公布号 | CN1115899A | 申请公布日期 | 1996.01.31 |
申请号 | CN95108717.7 | 申请日期 | 1995.07.26 |
申请人 | 东芝株式会社 | 发明人 | 平野尚彦 |
分类号 | G08C19/00 | 主分类号 | G08C19/00 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 孙敬国 |
主权项 | 1.一种多层配线构造的半导体装置,其特征在于,备有:由施加各个预定电位的多根平行条状导体(12-1,12-2,22-1,22-2)构成的电位供给层(11-1,11-2,21-1,21-2);隔有绝缘物层(20)叠合于上述电位供给层的、由平行于上述平行条状导体的配线构成的信号配线层(S1,S2)。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |