利用相移掩模技术的光学制版方法

摘要

一种在制作集成电路中进行多晶硅层制版的方法，它在分步重复光学工具中使用了相移掩模，其中对上述相移掩模的相位设定用这样的技术来确定，该技术可以在不发生设定矛盾的情况下确定门图案和活性区图案的相交区，并可以把相交区分成各种类型的堆，其中对不同的堆采用了稍有不同的相位设定规则。

主权项

1、用于在半导体晶片上形成集成电路层的相移掩 膜成图I线分步照相机制版方法，包含使用不同的掩模 以使不同的层成图的步骤，其中第一层是门层，第二层 是活性区，上述活性区在空间上由活性区布局图案确定， 上述门层在空间上由第一和第二门层布局部分确定，上 述第一门层布局部分是一个标准的非相移掩模图案，其 上有不透明的和透明的区域，并且上述第二门层布局部 分具有包含相移区的区域，上述方法包括： 对上述活性区布局图案和上述第一门层布局部分进 行比较分析，以在空间上建立对应于集成电路中上述活 性区布局图案与上述第一门层布局部分相重叠的区域的 相交区的位置，上述相交区是具有一对平行的长侧边和 一对平行的短侧边的矩形； 构筑透射式明场相移掩模(PSM)，具有各种相 移区和不透明区域，以对上述门层成图，上述PSM包 括上述门层布局图案，上述门层布局图案除了在对应于 上述相交区的上述PSM区域之外，其他区域与上述第 一门层布局部分相一致，上述门层布局图案包括与对应 于相交区的上述区域的上述一对平行长侧边中的一个上 述侧边相邻接的0°相移区，和一个与对应于上述相交 区的上述区域的上述一对平行长侧边中的另一个侧边相 邻接的180°相移区。上述透射式明场PSM的上述 不透明区域对应于上述相交区和上述第一门层布局部分 的上述不透明区域；并且 在上述线性分步照相机中，对准上述PSM，并用 一个其发出的光被上述透镜系统聚集，并被引导得通过 上述透射明场PSM的光源，对在上述晶片上的一个正 性光阻进行曝光，上述光透过上述PSM，照射到上述 晶片上的正性光阻上。