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发明名称
Methode zur Beseitigung von elektrischen Ladungen, welche sich auf dem Halbleitersubstrat während der Ionenimplantation aufbauen
摘要
申请公布号
DE69024172(D1)
申请公布日期
1996.01.25
申请号
DE19906024172
申请日期
1990.10.24
申请人
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP
发明人
YOSHIDA, YUKIMASA, YOKOHAMA-SHI, KANAGAWA-KEN, JP;OKUMURA, KATSUYA, YOKOHAMA-SHI, KANAGAWA-KEN, JP
分类号
H01J37/02;H01J37/317;H01L21/265;(IPC1-7):H01L21/265
主分类号
H01J37/02
代理机构
代理人
主权项
地址
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