GaAs-Passivierung mittels Wasserstoffplasma.,申请号DE19906019334T-传众专利搜索

发明名称	GaAs-Passivierung mittels Wasserstoffplasma.
摘要
申请公布号	DE69019334(T2)	申请公布日期	1996.01.25
申请号	DE19906019334T	申请日期	1990.08.24
申请人	AT & T CORP., NEW YORK, N.Y., US	发明人	GOTTSCHO, RICHARD ALAN, MAPLEWOOD, NEW JERSEY 07040, US;PREPPERNAU, BRYAN L., FAIRBORN, OHIO, US
分类号	H01L29/78;H01L21/30;H01L21/31;H01L21/324;H01L21/336;H01L21/338;H01L29/812;(IPC1-7):H01L21/324	主分类号	H01L29/78
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