发明名称 |
Process for contacting SIPOS passivated semiconductor devices |
摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kontaktieren von SIPOS-passivierten Halbleiterzonen eines Halbleiterkörpers, wobei das Entfernen der sich auf der Waferoberfläche befindenden Oxidschicht gleichzeitig mit der Oxidätzung vor der SIPOS-Passivierung erfolgt. Die doppelschichtige SIPOS-Passivierung besteht hierbei aus jeweils einer Schicht N-SIPOS und O-SIPOS. Zur Kontaktöffnung wird lediglich die N-SIPOS-Schicht mit Hilfe einer naßchemischen Ätzung entfernt. Durch das Tempern der zuvor bedampften und strukturierten Leitbahnen ergibt sich ein guter Kontakt, der auch für eine hohe Strombelastung geeignet ist. Durch das erfindungsgemäße Verfahren ergibt sich eine einfache Prozeßfolge und eine mit Nachteilen verbundene Unterätzung der Passivierungsschichten wird zuverlässig verhindert. <IMAGE></p> |
申请公布号 |
EP0693772(A2) |
申请公布日期 |
1996.01.24 |
申请号 |
EP19950110376 |
申请日期 |
1995.07.04 |
申请人 |
TEMIC SEMICONDUCTOR GMBH |
发明人 |
HARMEL, HARTMUT;KELLNER-WERDEHAUSEN, UWE |
分类号 |
H01L21/3205;H01L21/331;(IPC1-7):H01L21/283 |
主分类号 |
H01L21/3205 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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