Fabrication method of MOS-transistors and bipolar transistors on a semiconductor wafer

摘要

Zur Verbesserung des Herstellverfahrens einer Vorrichtung mit MOS- und Bipolartransistoren wird vorgeschlagen, daß nach der Herstellung bis auf die Oberfläche der Halbleiterscheibe gehender Öffnungen und eines allseitig isolierten Gatebereichs (6) ganzflächig eine amorphe Siliziumschicht (10) aufgebracht, dotiert und rekristallisiert wird und daß nach dem Aufbringen einer Hilfsschicht (11, 12) letztere und die Siliziumschicht (10) strukturiert werden. Es ist vorgesehen, daß diese und ggf. weitere strukturierte Siliziumschichten (23) die jeweils gegeneinander isoliert sind, ebenso wie Fenster der Gatebereiche(6) freigelegt und siliziert werden. Dadurch lassen sich niederohmige zuverlässige Anschlüsse aktiver und passiver Elemente der Vorrichtung mit geringem Aufwand an Masken erzeugen. <IMAGE>