发明名称 | 使用垂直腔面发射激光二极管的光检拾器 | ||
摘要 | 提供了一种光检拾器,它利用垂直腔面发射激光二极管作为光源,以代替常用边发射激光二极管,因而改进光学系统的性能和生产率。该全息光检拾器将用作光源和用作光检测器的垂直腔面发射激光二极管结合制造成单一的芯片。因此,两个元件可在一个批量生产过程中制成,同时光轴对准过程可在装配时一次完成,从而提高了生产率和降低了成本。当用作光源时,由垂直腔面发射激光二极管产生的光束具有比由边发射激光二极管所产生光束更好的性能。 | ||
申请公布号 | CN1115466A | 申请公布日期 | 1996.01.24 |
申请号 | CN95102486.8 | 申请日期 | 1995.03.15 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 郑教庞;文钟国;李裕信 |
分类号 | G11B7/125 | 主分类号 | G11B7/125 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 范本国 |
主权项 | 1.一种全息光检拾器,它包括:一块包括垂直腔面发射激光二极管和光检测器的芯片,所述激光二极管用作光源,并具有按顺序叠积而成的在衬底上的下反射层、下隔离层、激活层、上隔离层、和上反射层,所述光检测器用于检测自盘上光道反射回来的光束,并在所述衬底上具有和所述垂直腔面发射激光二极管相同的叠层;一个用于将具有对应于录在盘光道上信息的信息的反射光束加以衍射的全息元件;以及一块用于将由所述垂直腔面发射激光二极管所产生并随后由所述全息元件所衍射的光束加以聚焦,以便于读取录在盘光道上信息的物镜。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |