| 发明名称 |
STRUCTURE D'ANNEAU DE CHAMP EN POLYSILICIUM POUR CIRCUIT INTEGRE DE PUISSANCE |
| 摘要 |
<P>Structure d'anneau de champ en polysilicium pour supprimer tout type de fuite de courant de surface indésirable dans une puce de circuit intégré (20) ayant des sections de haute tension (40) et de basse tension (41) et entourée d'une enveloppe en matière plastique (81). Toutes les diffusions de type P non polarisées au potentiel de terre sont entourées par des anneaux (70) polarisés au potentiel d'alimentation, et toutes les diffusions de type N non polarisées au potentiel d'alimentation sont entourées par des anneaux (71) polarisés au potentiel de terre.</P>
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| 申请公布号 |
FR2722611(A1) |
申请公布日期 |
1996.01.19 |
| 申请号 |
FR19950007772 |
申请日期 |
1995.06.28 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION |
发明人 |
CHONGWOOK CHRIS CHOI;NIRAJ RANJAN |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/3205;H01L21/76;H01L21/822;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L23/52;H01L27/088;H01L27/092;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78;(IPC1-7):H01L27/092 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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