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发明名称 BURIED STRUCTURE, FORMING METHOD OF BURIED STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING BURIED STRUCTURE, AND MANUFACTURE OF SAID SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 JPH0817913(A) 申请公布日期 1996.01.19
申请号 JP19940143524 申请日期 1994.06.24
申请人 SONY CORP 发明人 HOSHINO KAZUHIRO
分类号 H01L23/522;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/768 主分类号 H01L23/522
代理机构 代理人
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