| 发明名称 |
DRY ETCHING METHOD OF GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
JPH0817803(A) |
申请公布日期 |
1996.01.19 |
| 申请号 |
JP19940149960 |
申请日期 |
1994.06.30 |
| 申请人 |
NICHIA CHEM IND LTD;PLASMA SYST:KK |
发明人 |
SENOO MASAYUKI;YAMADA TAKAO;BANDO KANJI;FUKUDA TOSHIO |
| 分类号 |
C23F4/00;H01L21/302;H01L21/3065;(IPC1-7):H01L21/306 |
主分类号 |
C23F4/00 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
