发明名称 半导体存储电路
摘要 一种半导体存储电路,该电路中,比较器(31-1-13-N)将读出放大器(12-1-12-N)的读出数据与输入数据比较,确定此二数据是否一致;闩锁电路(20-1-20-N)在控制信号(CTL3)所定期间比较器输出一次表示不一致的数据,则保持并输出该数据;比较器常输出表示一致的数据,才输出表示一致的数据;判定电路(16)在控制信号(CTL4)所定期间,根据闩锁电路输出数据判定写入是否结束,再写入信号生成电路(30)在判定电路输出写入未结束信号时,发送再写入信号到写入电路(17)。具有能充分进行数据写入或擦除的优点。
申请公布号 CN1115105A 申请公布日期 1996.01.17
申请号 CN95103319.0 申请日期 1995.03.30
申请人 东芝株式会社 发明人 藤荣俊;宫川正
分类号 G11C16/00 主分类号 G11C16/00
代理机构 上海专利商标事务所 代理人 沈昭坤
主权项 1.一种半导体存储电路,其特征在于具有:根据输入数据,对存储单元进行写入或擦除的第1手段;读出上述存储单元所存数据的读出放大器;将上述读出放大器的读出数据与上述输入数据比较,确定此二数据是否一致的比较器;输入第1控制信号,并当在上述第1控制信号所确定的一定期间,上述比较器即使输出一次表示不一致的数据,就保持且持续输出该数据,只在上述比较器常输出表示一致的数据时,才输出该表示一致的数据的闩锁电路;输入第2控制信号,并在上述第2控制信号所确定的一定期间,根据上述闩锁电路的输出数据,判定对上述存储单元的写入或擦除是否结束的判定电路;在上述判定电路输出写入或擦除未结束信号时,使上述第1手段根据上述输入数据,进行对上述存储单元的再写入或再擦除的第2手段。
地址 日本神奈川县